近日，粉末冶金研究院青年教师唐思危关于Cr1/3NbS2二维材料中磁孤子（soliton）自旋螺旋数的量化调控的最新研究成果在纳米材料类国际知名期刊Nano Letters (IF=12.712)在线发表关于的最新研究成果。
论文题为“Tuning magnetic soliton phase via dimensional confinement in exfoliated 2D Cr1/3NbS2 thin flakes”（DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b01546）。中南大学为第一通讯单位，唐思危博士为论文第一作者。
本论文发现二维Cr1/3NbS2纳米薄片厚度为200nm的时候，磁化曲线的一阶微分显示出阶梯式的磁孤子晶格内部转变行为。随着薄片厚度接近手性螺旋周期长（46nm），新的孤子峰出现。
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论文从理论上解释了孤子峰的出现和湮灭是由于在尺寸限制下，孤子晶格内的自旋螺旋发生了合并与分裂。
在这种材料中，孤子中的自旋螺旋直径在1纳米以下，所以自旋螺旋平面排布可以使得器件的存储密度远远高于当前的极限值，自旋螺旋结构的稳定性和厚度可调性使Cr1/3NbS2自旋电子材料具有超越物理极限的潜力。
该文章为磁存储芯片设计提供了一种新的高效、稳定的潜力材料，为我国自主研发新型芯片提供了一种创新的方式。
这一发现，将有望使我国超前布局新型芯片材料和装备，实现对现有芯片技术的颠覆与超越。